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Hersteller-Teilenummer: | NP100P04PDG-E1-AY |
Hersteller: | Renesas Electronics America |
Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 40V 100A TO263 |
Datenblätter: | NP100P04PDG-E1-AY Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | - |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 320 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 15100 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.8W (Ta), 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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