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TPN1R603PL,L1Q

Hersteller-Teilenummer:	TPN1R603PL,L1Q
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Datenblätter:	TPN1R603PL,L1Q Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	U-MOSIX-H
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	104W (Tc)
Betriebstemperatur	175°C
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall	8-PowerVDFN

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 15760

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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