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Rochester Electronics / FDZ209N

FDZ209N

Hersteller-Teilenummer: FDZ209N
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA
Datenblätter: FDZ209N Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SeriePowerTrench®
PaketBulk
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs9 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds657 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket12-BGA (2x2.5)
Paket / Fall12-WFBGA
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 20644

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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