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Hersteller-Teilenummer: | PMV31XN,215 |
Hersteller: | Rochester Electronics |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 20V 5.9A TO236AB |
Datenblätter: | PMV31XN,215 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | TrenchMOS™ |
Paket | Bulk |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 5.8 nC @ 4.5 V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 20 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 280mW (Tj) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lagerbestand: 20118
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Ankunft in 3-5 Tagen
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