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NTD5807NT4G

Hersteller-Teilenummer:	NTD5807NT4G
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Datenblätter:	NTD5807NT4G Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	23A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	603 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	33W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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