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STMicroelectronics / STB6N60M2

STB6N60M2

Hersteller-Teilenummer: STB6N60M2
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Datenblätter: STB6N60M2 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMDmesh™ II Plus
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds232 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)60W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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