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STMicroelectronics / STD6NM60N-1

STD6NM60N-1

Hersteller-Teilenummer: STD6NM60N-1
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
Datenblätter: STD6NM60N-1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieMDmesh™ II
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs13 nC @ 10 V
Vgs (Max)±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds420 pF @ 50 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)45W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketI-PAK
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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