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PMV100XPEA,215

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	128mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	386 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	463mW (Ta), 4.45W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-236AB
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 15000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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