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NTLJS1102PTAG

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	720mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1.585 pF @ 4 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	700mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	6-WDFN (2x2)
Paket / Fall	6-WDFN Exposed Pad

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 36000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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