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STMicroelectronics / STI6N62K3
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STI6N62K3
| Hersteller-Teilenummer: | STI6N62K3 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK |
| Datenblätter: | STI6N62K3 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- STMicroelectronics STI6N62K3 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | SuperMESH3™ |
| Paket | Tube |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 620 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 875 pF @ 50 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 90W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | I2PAK |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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