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CSD18535KTTT

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	NexFET™
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	200A (Ta), 279A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6620 pF @ 30 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DDPAK/TO-263-3
Paket / Fall	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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