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IRLML0100TRPBF

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	1.6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Micro3™/SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 540

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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