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IR (Infineon Technologies) / BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1

Hersteller-Teilenummer: BSZ12DN20NS3GATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Datenblätter: BSZ12DN20NS3GATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TSDSON-8
Paket / Fall8-PowerTDFN
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2804

Minimum: 1

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