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Vishay / Siliconix / SI4829DY-T1-GE3

SI4829DY-T1-GE3

Hersteller-Teilenummer: SI4829DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
Teil der Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A 8SO
Datenblätter: SI4829DY-T1-GE3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieLITTLE FOOT®
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusObsolete
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs215mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs8 nC @ 10 V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds210 pF @ 10 V
FET-FunktionSchottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)2W (Ta), 3.1W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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