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IPP50R399CPHKSA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™
Paket	Tube
Teilestatus	Discontinued at Digi-Key
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	560 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 330µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	890 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-3-1
Paket / Fall	TO-220-3

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