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PHD97NQ03LT,118

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchMOS™
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	25 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	75A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.15V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	11.7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1570 pF @ 12 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	107W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 5000

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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Beliebte Modelle

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