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STMicroelectronics / STH275N8F7-2AG

STH275N8F7-2AG

Hersteller-Teilenummer: STH275N8F7-2AG
Hersteller: STMicroelectronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Datenblätter: STH275N8F7-2AG Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs193 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds13600 pF @ 50 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)315W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketH2Pak-2
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Minimum: 1

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