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IPU60R1K5CEAKMA2

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™ CE
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	49W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO251-3
Paket / Fall	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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