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IR (Infineon Technologies) / IPB77N06S212ATMA1
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IPB77N06S212ATMA1
| Hersteller-Teilenummer: | IPB77N06S212ATMA1 |
| Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3 |
| Datenblätter: | IPB77N06S212ATMA1 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- IR (Infineon Technologies) IPB77N06S212ATMA1 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | OptiMOS™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 77A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 38A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 158W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
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Ankunft in 3-5 Tagen
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