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G3R75MT12J

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	G3R™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.69V @ 7.5mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	54 nC @ 15 V
Vgs (Max)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1560 pF @ 800 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	224W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-263-7
Paket / Fall	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 386

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

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