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ROHM Semiconductor / BSM180C12P2E202

BSM180C12P2E202

Hersteller-Teilenummer: BSM180C12P2E202
Hersteller: ROHM Semiconductor
Teil der Beschreibung: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTray
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieSiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.204A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 35.2mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs-
Vgs (Max)+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20000 pF @ 10 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1360W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
BefestigungsartChassis Mount
LieferantengerätepaketModule
Paket / FallModule
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 4

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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