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IR (Infineon Technologies) / SPB100N04S2L-03

SPB100N04S2L-03

Hersteller-Teilenummer: SPB100N04S2L-03
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Datenblätter: SPB100N04S2L-03 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs230 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds8000 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)300W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TO263-3-2
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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