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RDD022N50TL

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Not For New Designs
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.7V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	168 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	20W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	CPT3
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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