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FDP8030L

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	*
Paket	Bulk
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	80A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	170 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10.5 pF @ 15 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	187W (Tc)
Betriebstemperatur	-65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 7255

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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