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2SJ438,Q(M

Hersteller-Teilenummer:	2SJ438,Q(M
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET P-CH TO220NIS
Datenblätter:	2SJ438,Q(M Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	*
Paket	Bulk
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	-
Technologie	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	5A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220NIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: Versand am selben Tag

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

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Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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