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IXFH160N15T2

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	253 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15000 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	880W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AD (IXFH)
Paket / Fall	TO-247-3

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