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Honeywell Aerospace / HTNFET-T

HTNFET-T

Hersteller-Teilenummer: HTNFET-T
Hersteller: Honeywell Aerospace
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 4POWER TAB
Datenblätter: HTNFET-T Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHTMOS™
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs4.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 28 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)50W (Tj)
Betriebstemperatur-55°C ~ 225°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Lieferantengerätepaket4-Power Tab
Paket / Fall4-SIP
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2

Minimum: 1

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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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