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Rochester Electronics / IRLL024NPBF

IRLL024NPBF

Hersteller-Teilenummer: IRLL024NPBF
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Datenblätter: IRLL024NPBF Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieHEXFET®
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs15.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketSOT-223
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
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