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Rochester Electronics / IPB200N15N3

IPB200N15N3

Hersteller-Teilenummer: IPB200N15N3
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: N-CHANNEL POWER MOSFET
Datenblätter: IPB200N15N3 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
ANMERKUNG
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie*
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Befestigungsart-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-
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