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IRF7701TR

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	100 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5050 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.5W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-TSSOP
Paket / Fall	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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