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NXP Semiconductors / PHD18NQ10T,118
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PHD18NQ10T,118
| Hersteller-Teilenummer: | PHD18NQ10T,118 |
| Hersteller: | NXP Semiconductors |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
| Datenblätter: | PHD18NQ10T,118 Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- NXP Semiconductors PHD18NQ10T,118 ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | TrenchMOS™ |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 79W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
KAUFOPTIONEN
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
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Ankunft in 3-5 Tagen
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet
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