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IRF5803

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HEXFET®
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	3.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta)
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Micro6™(TSOP-6)
Paket / Fall	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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