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IXTF1N450

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	4500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	900mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1730 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	160W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Fall	i4-Pac™-5 (3 Leads)

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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