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IR (Infineon Technologies) / IRF8302MTR1PBF
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IRF8302MTR1PBF
| Hersteller-Teilenummer: | IRF8302MTR1PBF |
| Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung: | MOSFET N CH 30V 31A MX |
| Datenblätter: | IRF8302MTR1PBF Datenblätter |
| Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Lagerzustand: | Auf Lager |
| Liefern von: | Hong Kong |
| Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ANMERKUNG
- IR (Infineon Technologies) IRF8302MTR1PBF ist unter chipnets.com erhältlich. Wir verkaufen nur Neu- und Originalteile und bieten 1 Jahr Garantiezeit. Wenn Sie mehr über die Produkte erfahren oder einen besseren Preis beantragen möchten, kontaktieren Sie uns bitte, klicken Sie auf den Online-Chat oder senden Sie uns ein Angebot.
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Spezifikation
| Typ | Beschreibung |
|---|---|
| Serie | HEXFET® |
| Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 31A (Ta), 190A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 31A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 53 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6030 pF @ 15 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
KAUFOPTIONEN
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| Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ |
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Frachtberechnung
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