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TK60P03M1,RQ(S

Hersteller-Teilenummer:	TK60P03M1,RQ(S
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Teil der Beschreibung:	MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Datenblätter:	TK60P03M1,RQ(S Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status:	Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand:	Auf Lager
Liefern von:	Hong Kong
Versandweg:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	U-MOSVI-H
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Last Time Buy
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2700 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	63W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

KAUFOPTIONEN

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Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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