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SIS612EDNT-T1-GE3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	TrenchFET®
Paket	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2060 pF @ 10 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paket / Fall	PowerPAK® 1212-8S

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Beliebte Modelle

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