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GeneSiC Semiconductor / GA06JT12-247

GA06JT12-247

Hersteller-Teilenummer: GA06JT12-247
Hersteller: GeneSiC Semiconductor
Teil der Beschreibung: TRANS SJT 1200V 6A TO247AB
Datenblätter: GA06JT12-247 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTube
TeilestatusObsolete
FET-Typ-
TechnologieSiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 6A
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-247AB
Paket / FallTO-247-3
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GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor

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