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IPP029N06NAKSA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	OptiMOS™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	24A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 75µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 30 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-3
Paket / Fall	TO-220-3

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