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CDM22010-650 SL

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1168 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220
Paket / Fall	TO-220-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 566

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
Preis ist nicht verfügbar, bitte RFQ

Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

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