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IR (Infineon Technologies) / IQE006NE2LM5CGATMA1

IQE006NE2LM5CGATMA1

Hersteller-Teilenummer: IQE006NE2LM5CGATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™ 5
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.41A (Ta), 298A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs650mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs82.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5453 pF @ 12 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.1W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketIPAK (TO-251AA)
Paket / FallTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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