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Renesas Electronics America / NP55N03SUG-E1-AY

NP55N03SUG-E1-AY

Hersteller-Teilenummer: NP55N03SUG-E1-AY
Hersteller: Renesas Electronics America
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 55A TO252
Datenblätter: NP55N03SUG-E1-AY Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
Serie-
PaketTape & Reel (TR)
TeilestatusObsolete
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs93 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5300 pF @ 25 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)1.2W (Ta), 77W (Tc)
Betriebstemperatur175°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-252 (MP-3ZK)
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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