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C2M1000170D

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	Z-FET™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1700 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	4.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	13 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	191 pF @ 1000 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247-3
Paket / Fall	TO-247-3

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