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Hersteller-Teilenummer: | IPN80R2K4P7ATMA1 |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223 |
Datenblätter: | IPN80R2K4P7ATMA1 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | CoolMOS™ P7 |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4Ohm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 500 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 6.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-SOT223 |
Paket / Fall | TO-261-3 |
Lagerbestand: 9321
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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