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IR (Infineon Technologies) / IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1

Hersteller-Teilenummer: IPN80R2K4P7ATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223
Datenblätter: IPN80R2K4P7ATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieCoolMOS™ P7
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 500 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)6.3W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-SOT223
Paket / FallTO-261-3
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