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IPL65R420E6AUMA1

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™ E6
Paket	Tape & Reel (TR)
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	10.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 100 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Thin-Pak (8x8)
Paket / Fall	4-PowerTSFN

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