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Hersteller-Teilenummer: | SI5471DC-T1-GE3 |
Hersteller: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung: | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
Datenblätter: | SI5471DC-T1-GE3 Datenblätter |
Bleifrei-Status / RoHS-Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
Lagerzustand: | Auf Lager |
Liefern von: | Hong Kong |
Versandweg: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Typ | Beschreibung |
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Serie | TrenchFET® |
Paket | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2945 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Lagerbestand: Versand am selben Tag
Minimum: 1
Menge | Stückpreis | Ext. Preis |
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40 US-Dollar von FedEx.
Ankunft in 3-5 Tagen
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