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SCTW90N65G2V

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	-
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 400 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	390W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	HiP247™
Paket / Fall	TO-247-3

KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 551

Minimum: 1

Menge	Stückpreis	Ext. Preis
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Frachtberechnung

40 US-Dollar von FedEx.

Ankunft in 3-5 Tagen

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Kostenloser Versand für die ersten 0,5 kg für Bestellungen über 150 $, Übergewicht wird separat berechnet

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