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IXFB44N100Q3

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	HiPerFET™
Paket	Tube
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	44A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	264 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	13600 pF @ 25 V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1560W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PLUS264™
Paket / Fall	TO-264-3, TO-264AA

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