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Rochester Electronics / IPI020N06NAKSA1

IPI020N06NAKSA1

Hersteller-Teilenummer: IPI020N06NAKSA1
Hersteller: Rochester Electronics
Teil der Beschreibung: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Datenblätter: IPI020N06NAKSA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieOptiMOS™
PaketBulk
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.29A (Ta), 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 143µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs106 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds7.8 pF @ 30 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3W (Ta), 214W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
LieferantengerätepaketPG-TO262-3-1
Paket / FallTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 20420

Minimum: 1

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