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IR (Infineon Technologies) / SPD04N80C3ATMA1

SPD04N80C3ATMA1

Hersteller-Teilenummer: SPD04N80C3ATMA1
Hersteller: IR (Infineon Technologies)
Teil der Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Datenblätter: SPD04N80C3ATMA1 Datenblätter
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Lagerzustand: Auf Lager
Liefern von: Hong Kong
Versandweg: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

Spezifikation
Typ Beschreibung
SerieCoolMOS™
PaketTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
TeilestatusActive
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs31 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 100 V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)63W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-TO252-3
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
KAUFOPTIONEN

Lagerbestand: 2092

Minimum: 1

Menge Stückpreis Ext. Preis

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