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IPA50R650CE

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package

Spezifikation

Typ	Beschreibung
Serie	CoolMOS™
Paket	Tube
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.	6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (Qg) (max.) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	342 pF @ 100 V
FET-Funktion	Super Junction
Verlustleistung (max.)	27.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	PG-TO220-FP
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack

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